UNIDAD DE ESTADO SOLIDO SSD INTERNO MSI SPATIUM M480 1 TB M.2 2280 PCIE GEN4X4, NVME 1.4 LEC 7400/ ESC 6000 MB/S SPATIUM M480 PCIE 4.0 NVME M.2 1 TB

NOMBRE DEL MODELO ESPACIO M480 PRO PCIE 4.0 NVME M.2
CAPACIDAD 1TB
CONTROLADOR PHISON E18
MEMORIA FLASH 3D NAND
CACHÉ DRAM 1 GB DDR4
FACTOR DE FORMA M.2 2280
INTERFAZ PCIE GEN4 X4, NVME 1.4
COMPATIBILIDAD PCIE DE 4.ª GENERACIÓN, 3.ª GENERACIÓN, 2.ª GENERACIÓN Y 1.ª GENERACIÓN
DIMENSIONES 80,00 MM (LARGO) X 22,00 MM (ANCHO) X 2,15 MM (ALTO)
LECTURA SECUENCIAL HASTA (MB/S) 7400
ESCRITURA SECUENCIAL HASTA (MB/S) 6000
LECTURA ALEATORIA DE 4 KB HASTA (IOPS) 750
ESCRITURA ALEATORIA DE 4 KB HASTA (IOPS) 1.000.000
POTENCIA MÁXIMA DE FUNCIONAMIENTO (W) 9.5
CONSUMO DE ENERGÍA EN REPOSO DE PS3 (MW) 40
BAJA POTENCIA L1.2 (MW) 3
TEMPERATURAS DE FUNCIONAMIENTO 0°C – 70°C
TEMPERATURAS DE ALMACENAMIENTO -40°C – 85°C
TERABYTES ESCRITOS (TBW) 700
TIEMPO MEDIO ENTRE FALLOS (MTBF) HASTA 1.600.000 HORAS
GARANTÍA LIMITADA 5 AÑOS, O LA COBERTURA DEL TBW MÁXIMO SEGÚN LO ESTABLECIDO, LO QUE OCURRA PRIMERO.

M480 PRO
AVANZANDO A TODA VELOCIDAD
DEL UNIVERSO MSI LLEGA UN ALMACENAMIENTO CON VELOCIDADES DE VÉRTIGO Y UN RENDIMIENTO INCREÍBLE. LLEVA TU SISTEMA AL SIGUIENTE NIVEL CON SPATIUM.
RENDIMIENTO PRO
EL M480 PRO, QUE OFRECE EL MÁXIMO RENDIMIENTO PRO PARA PCIE 4.0, CUENTA CON VELOCIDADES DE LECTURA/ESCRITURA ALEATORIAS HASTA UN 60% MÁS RÁPIDAS, LO QUE PERMITE DISFRUTAR DE UNA EXPERIENCIA DE JUEGO Y PRODUCTIVIDAD CON UNA CAPACIDAD DE RESPUESTA EXTRAORDINARIA BAJO CARGAS DE TRABAJO ELEVADAS.
¡A TODA VELOCIDAD!
OPTIMIZADA PARA LA INTERFAZ PCIE GEN4, EL SSD SPATIUM M480 PRO ALCANZA VELOCIDADES DE LECTURA/ESCRITURA DE HASTA 7400/7000 MB/S, LO QUE PERMITE UNA RÁPIDA TRANSFERENCIA DE DATOS Y ACORTA LOS TIEMPOS DE CARGA DE LOS JUEGOS.PEQUEÑO FORMATO,
MÁS ALMACENAMIENTO
LA ÚLTIMA TECNOLOGÍA FLASH 3D NAND APORTA ALMACENAMIENTO DENSO EN UN DISEÑO COMPACTO Y PERMITE CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO SPATIUM DE HASTA 4 TB.DESARROLLA UN POTENCIAL ILIMITADO
LAS FUNCIONES INTEGRADAS DE SEGURIDAD DE DATOS Y CORRECCIÓN DE ERRORES AMPLÍAN LA RESISTENCIA Y LONGEVIDAD DEL ALMACENAMIENTO FLASH NAND, LO QUE TE PERMITIRÁ BATIR RÉCORDS EN LOS JUEGOS O LLEVAR TU TALENTO AL SIGUIENTE NIVEL.